.png)
Физические параметры транзистора могут быть рассчитаны по геометрическим размерам слоев и параметрам материалов, из которых он изготовлен, т.е. на стадии проектирования. Измерить эти параметры приборами практически невозможно, поэтому часто используют другие параметры, которые легко поддаются измерению, например h-параметры. Поскольку входные и выходные ВАХ существенно нелинейны, то вводят ограни-чения на величину приращения токов и напряжений. Транзистор рассматривают как 4-х или 3-х полюсник с входными и выходными параметрами.
Физический смысл полученных h-параметров, кот хар-ют св-ва транзистора: h11э=?Uбэ/?Iб.(Uк=const) – имеет размерность сопротивления и характеризует входное сопротивление транзистора. h12э=?Uбэ/?Uкэ.(?Iб=0) – безразмерный коэффициент внутренней и обратной связи по напряжению. Численное значение его лежит в пределах 0,002…0,0002 и в расчетах часто пренебрегают. h21э=?Iк/?Iб. (Uкэ=const) – статический коэффициент усиления по току (h21э=?). h22э=?Iк/?Uкэ. (?Iб=const) – характеризует выходную проводимость транзистора.
Схема замещения: рис 3 Между физическими параметрами и h параметрами сущ-ет след связь:
rэ=h11б(1-h21б)*( h11б / h22б);
rб= h11б / h22б;
rк= 1 / h22б;
(альфа)=h21б.
