Вопрос 16.Способ включения и статические характеристики биполярного транзистора в схеме с ОЭ.
Способ включения.
Статические характеристики биполярного транзистора в схеме с ОЭ.
1)Входные характеристики
Iб = f(Uбэ) | Uкэ = const
2)Выходные характеристики
Iк = f(Uкэ) | Iб = const
1)Вх хар-ки
Iб = Iб инж + I б рекомб = I кб0 (практически одна и та же точка, тк I кб0 – один и тот же)
Особенности:
а)-при Uкэ=0 оба перехода смещены в прямом направлении, поэтому при Uбэ <0 токи обоих переходов складываются в базе и её ток может достигать больших значений.
При Uкэ<0 и |Uкэ|>|Uбэ| направление тока коллекторного перехода меняется на обратное и ток базы резко уменьшается, т.к. токи переходов теперь вычитаются. Этим объясняется резкий сдвиг входных характеристик вправо и вниз при сравнительно небольшом увеличении отрицательного напряжения на коллекторе от 0 до |Uкэ|>|Uбэ|.
б)-При Uкэ<0 ток базы обращается в нуль при таком смещении U`бэ, при котором происходит компенсация обеих составляющих базового тока:
в)- При обратном напряжении на эмиттерном переходе Uбэ >0 и Uкэ<0 переход база-эмиттер запирается и в базовой цепи протекает ток .
2)Вых хар-ки
Наклон обеспечен эффектом Эрми.
Iк = Iкр + Iкб0 , где Iкр примерно = кр Iб
Uкб = Uкэ – Uбэ
Особенности:
1)- Спад коллекторного тока (режим насыщения) происходит в первом квадранте(ОЭ), а не во втором(ОБ) т.к. коллекторный переход начинает смещаться в прямом направлении уже при напряжениях |Uкэ|≤|Uбэ| . Это приводит к встречной инжекции дырок из коллектора в базу, а следовательно к спаду коллекторного тока и увеличению тока базы.
2)- Минимальное значение (отсечка) коллекторного тока достигается не при нулевом входном токе Iб=0, а при отрицательном токе токе базы Iб=-Iк0 , что соответствует напряжению Uбэ≥0. Следовательно, чтобы надёжно запереть транзистор в схеме с общим эмиттером, на базу надо подать обратное смещение.
В построенных по формулам Молла-Эберса семействах вольтамперных характеристик не учитывается эффект Эрли, а также ряд других факторов, влияющих на их вид, поэтому они являются идеализированными.
