Важное значение в работе полупроводниковых приборах имеет p-n-переход – электронно-дырочный переход – это область на границе 2х полупроводников, один из которых имеет дырочную, а другой электронную электропроводность.
Запирающий слой лишен свободных носителей заряда и
поэтому обладает высоким сопротивлением. В нем возникает
электрическое поле напряженности Езап – ЭДС запирающего слоя.
В процессе образования в p-n-переходе устанавливается динамическое равновесие Iдр = Iдиф, где Iдр – дрейфовый ток, обусловлен движением через p-n-переход основных носителей заряда; Iдиф – диффузионный ток, обусловлен движением через p-n-переход не основных носителей заряда.
При подключении внешнего источника питания, динамическое равновесие нарушается и p-n-переход получает следующие свойства.
1) ЭДС внешнего поля направлен навстречу ЭДС запирающего поля.
Запирающий слой уменьшается и при Евн = 0,4 – 0,6 В исчезает вовсе.
Сопротивление p-n-перехода стремится к 0. p-n-переход называется открытым и через него протекает большой прямой ток (Iпр).
2) ЭДС внешнего поля направлен в ту же сторону, что и ЭДС
запирающего слоя. Ширина запирающего слоя увеличивается. Его
сопротивление возрастает. Через p-n-переход протекает маленький ток,
который называют обратным (Iобр). p-n-переход – закрытый.
