Принцип работы МДП-транзисторов
Полевые транзисторы со структурой металл - диэлектрик - полупроводник относятся к числу униполярных полупроводниковых приборов, работающих на основе эффекта поля.
- Эффект поля-это изменение концентрации свободных носителей в приповерхностной области полупроводника под действием внешнего электрического поля.
Обычно в литературе их называют МДП-транзисторами, в зарубежной-MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, т.е.полевой транзистор металл-окисел-полупроводник), MOST(metal-oxide-semiconductor transistor, т.е.транзистор металл-окисел-полупроводник). МДП-транзистор в значительной мере обязан своим появлением на свет успехам планарной технологии, в первую очередь прогрессу в технологической обработке поверхности полупроводников и реализации границы раздела полупроводник - диэлектрик с малой плотностью поверхностных состояний.
Поскольку в качестве диэлектрика в МДП-транзисторах в основном используются термически выращенная двуокись кремния, иногда встречается название МОП транзистор или сокращенно МОП ПТ. Так как затвор в МДП-транзисторе отделен от канала диэлектриком, то МДП-транзистором называют также полевой транзистор с изолированным затвором.
Конструктивно МДП транзистор состоит из истока, стока, затвора и подзатворного диэлектрика.
- Исток и сток - сильно легированные области противоположного подложке типа проводимости.
- Затвор - проводящая площадка, лежащая над областью инверсионного канала.
- Подзатворный диэлектрик - диэлектрический слой, отделяющий электрод затвора от области инверсионного канала.
Области истока и стока для того, чтобы оказывать малое сопротивление току стока, обычно сильно легируют и обозначают значком n+ для n канальных транзисторов или значком p+ для p канальных транзисторов. На схемах исток МДП-транзистора обычно обозначают латинскими буквами S, сток - D, затвор - G и подложку буквами SB, первыми буквами от их английских наименований (Source, Drain, Gate, Substrate).
.png.jpg)
