После подготовки полупроводниковых пластин и создании на них электрической принципиальной схемы следует дальнейшее механическое воздействие на пластину – разделение на кристаллы. На кристаллы пластина разделяется двумя методами: с помощью алмазного резца, который называется скрайбером и с помощью лазера.
1. Скрайбирование заключается в нанесении на полупроводниковую пластину после сформирования на ней структур, рисок, которые являются областями разупрочнения и которые позволяют разделить пластину на кристаллы. Скорость перемещения скрайбера до 15 мм в секунду. Скрайбер перемещается относительно обрабатываемой поверхности под углом от 8? до 35?. Режущая часть скрайбера представляет собой трехгранную пирамиду, в которой каждая грань является режущей (перезатачивается до 8-10 раз).
2. Разделение с помощью лазера. Быстрый лазер перемещается по поверхности со скоростью 100 м/c. Для этой цели используют твердотельные лазеры (диаметр пятна около 20 мкм). Длительность импульса составляет не более 0.5 мкс. Недостатком такого разделения является разбрызгивание материала (из-за высокой температуры), что вынуждает использование маски из стеклоткани.
После нанесения областей разупрочнения следует разделение пластины на кристаллы с помощью валика, консоли или сферической опоры. Производится монтаж кристаллов к коммутационной плате или к выводам корпуса.
