ПП ИМС - функционально законченная сборочная единица, выполненная единым тех. циклом на ПП кристалле. В зависимости от степени интеграции элементов, различают: обычные ИМ приборов), большие ИМ ), сверхбольшие ИМ и микропроцессоры (более ). Технологический процесс изготовления ПП ИМ включает группу операций:
1. Заготовительная: получение слитков; разрезка слитков; обработка пластин; изготовление деталей корпуса; сборка сборочных единиц корпуса.
2. Обрабатывающая: эпитаксия; окисление; фотолитография; диффузия; технологическая обработка; контроль на функционирование.
3. Сборочно-контрольная: разделение пластин; монтаж кристаллов; герметизация; контроль и маркировка; упаковка.
Подложка ПП ИМС – несущая часть, в которой формируются слои, элементы и компоненты схемы. В качестве материалов подложек используются ПП кремний, германий, арсенид галлия. Наиболее распространенным является кремний в силу нескольких причин. Кремний – самый распространенный элемент Земной коры (29 %). Его физические и технологические особенности широко используются. С физической точки зрения кремний обладает значительной шириной запрещенной зоны, что позволяет создавать элементы, работающие в широком диапазоне температур с малыми токами утечки при больших рабочих напряжениях.
По технологическим признакам ПП кремний удобен тем, что на нем образуется оксидная пленка, которая является маскирующим элементом при создании ПП структур, поскольку коэффициент диффузии в ПП кремнии на несколько порядков выше, чем в пленке диоксида кремния. Эта пленка может быть конструктивным элементом, в частности диэлектриком конденсатора или изолирующим слоем между компонентами. ПП ИМС могут быть получены на постоянной подложке – это ПП кремний или на временной подложке, которой может быть поликристаллический кремний, сапфир и другие ПП компоненты.
