ГИМ – радиоэлектронное устройство, в котором на керамической подложке пассивная часть схемы выполнена в виде пленок, активная – навесным монтажом. ГИМ делятся на:
· тонкопленочные (с толщиной до 1 мкм)
· толстопленочные (с толщиной до 50 мкм)
Гибридные интегральные микросхемы обеспечивают изготовление изделий большой мощности, что важно при создании аналоговых устройств, управляющих мощными выходными цепями. ГИМ позволяют использовать любые дискретные компоненты, в том числе большие и сверхбольшие интегральные микросхемы.
Основным элементом ГИМ является подложка, которая является диэлектрическим и механическим основанием и служит теплоотводом. Подложка имеет размерность 96*120 мм, толщина – 0.35 – 0.6 мм.
Поскольку основанием ГИМ является керамика, обладающая высокой рассеиваемой мощностью, теплоотвод обеспечен. В связи с этим к материалу основания предъявляют следующие требования:
· высокая механическая прочность;
· способность механической обработки;
· высокое сопротивление изоляции;
· устойчивость к воздействию химических материалов и воздействию нагрева;
При изготовлении ГИМ применяют разные виды керамики. В частности, для маломощных микросхем – бесщелочное стекло и ситаллы ( ~ 50 %). Ситаллы по сравнению со стеклами имеют большую теплопроводность, что позволяет использовать их при повышенных уровнях мощности. Для мощных ГИМ используется керамика типа “Поликор” ( ~ 86 %). Для особо мощных ГИМ применяется Бериллиевая керамика.
