Собственная и примесная электропроводимость полупроводников и ее зависимость от температуры. Применение полупроводниковых приборов.

Полупроводниками называются вещества, удельное сопротивление которых убывает с повышением температуры(Si, Ge). Необходимым условием резкого уменьшения удельного сопротивления полупроводника при введении примесей является отличие валентности атомов примеси от валентности основных атомов кристалла.
В полупроводниках нет свободного заряда, электроны связаны. С повышением U (напряжения) их начинает вырывать. Также спровоцировать появление свободных зарядов может температура.
Примесный полупроводник с дырочной проводимостью называется полупроводником p-типа. Основным носителем заряда в таком является дырка. 
Дырочная проводимость возникает, когда в кристалл германия введены трехвалентные атомы (например, атомы индия, In). На образование связи с четвертым атомом германия у атома индия нет электрона. Этот недостающий электрон может быть захвачен атомом индия из ковалентной связи соседних атомов германия. В этом случае атом индия превращается в отрицательный ион, расположенный в узле кристаллической решетки, а в ковалентной связи соседних атомов образуется вакансия. 
Транзистор - это полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов, а также коммутации электрических цепей.
24)