 |
|
|
|
Электроника NEW!array(25) {
[0]=>
object(stdClass)#7 (12) {
["id"]=>
string(5) "18420"
["label"]=>
string(73) "Собственные и примесные полупроводники"
["private"]=>
string(1) "0"
["hits"]=>
string(3) "790"
["like"]=>
string(1) "0"
["extra_title"]=>
NULL
["site_id"]=>
string(5) "12529"
["content_unique"]=>
string(2) "77"
["abs_unique"]=>
string(2) "70"
["category_id"]=>
string(1) "0"
["metka"]=>
NULL
["ban"]=>
string(1) "0"
}
[1]=>
object(stdClass)#9 (12) {
["id"]=>
string(5) "18473"
["label"]=>
string(80) "Процессы переноса заряда в полупроводниках"
["private"]=>
string(1) "0"
["hits"]=>
string(3) "234"
["like"]=>
string(1) "0"
["extra_title"]=>
NULL
["site_id"]=>
NULL
["content_unique"]=>
NULL
["abs_unique"]=>
NULL
["category_id"]=>
string(1) "0"
["metka"]=>
NULL
["ban"]=>
string(1) "2"
}
[2]=>
object(stdClass)#10 (12) {
["id"]=>
string(5) "18474"
["label"]=>
string(46) "Электро-дырочный переход"
["private"]=>
string(1) "0"
["hits"]=>
string(3) "898"
["like"]=>
string(1) "0"
["extra_title"]=>
NULL
["site_id"]=>
NULL
["content_unique"]=>
string(2) "68"
["abs_unique"]=>
string(2) "50"
["category_id"]=>
string(1) "0"
["metka"]=>
NULL
["ban"]=>
string(1) "0"
}
[3]=>
object(stdClass)#11 (12) {
["id"]=>
string(5) "18490"
["label"]=>
string(117) "Процессы в электронно - дырочном переходе при прямом напряжении"
["private"]=>
string(1) "0"
["hits"]=>
string(3) "681"
["like"]=>
string(1) "0"
["extra_title"]=>
NULL
["site_id"]=>
string(5) "12541"
["content_unique"]=>
string(2) "87"
["abs_unique"]=>
string(2) "71"
["category_id"]=>
string(1) "0"
["metka"]=>
NULL
["ban"]=>
string(1) "0"
}
[4]=>
object(stdClass)#12 (12) {
["id"]=>
string(5) "18491"
["label"]=>
string(121) "Процессы в электронно - дырочном переходе при обратном напряжении"
["private"]=>
string(1) "0"
["hits"]=>
string(3) "192"
["like"]=>
string(1) "0"
["extra_title"]=>
NULL
["site_id"]=>
NULL
["content_unique"]=>
NULL
["abs_unique"]=>
NULL
["category_id"]=>
string(1) "0"
["metka"]=>
NULL
["ban"]=>
string(1) "1"
}
[5]=>
object(stdClass)#13 (12) {
["id"]=>
string(5) "18492"
["label"]=>
string(77) "Вольт-амперная характеристика p-n перехода"
["private"]=>
string(1) "0"
["hits"]=>
string(4) "2635"
["like"]=>
string(1) "0"
["extra_title"]=>
NULL
["site_id"]=>
string(5) "12542"
["content_unique"]=>
string(2) "90"
["abs_unique"]=>
string(2) "85"
["category_id"]=>
string(1) "0"
["metka"]=>
NULL
["ban"]=>
string(1) "0"
}
[6]=>
object(stdClass)#14 (12) {
["id"]=>
string(5) "18493"
["label"]=>
string(33) "Пробой p-n перехода"
["private"]=>
string(1) "0"
["hits"]=>
string(3) "896"
["like"]=>
string(1) "0"
["extra_title"]=>
NULL
["site_id"]=>
string(5) "12543"
["content_unique"]=>
string(2) "85"
["abs_unique"]=>
string(2) "70"
["category_id"]=>
string(1) "0"
["metka"]=>
NULL
["ban"]=>
string(1) "0"
}
[7]=>
object(stdClass)#15 (12) {
["id"]=>
string(5) "18494"
["label"]=>
string(74) "Полупроводниковые выпрямительные диоды"
["private"]=>
string(1) "0"
["hits"]=>
string(3) "306"
["like"]=>
string(2) "-1"
["extra_title"]=>
NULL
["site_id"]=>
NULL
["content_unique"]=>
string(2) "38"
["abs_unique"]=>
string(2) "37"
["category_id"]=>
string(1) "0"
["metka"]=>
NULL
["ban"]=>
string(1) "3"
}
[8]=>
object(stdClass)#16 (12) {
["id"]=>
string(5) "18495"
["label"]=>
string(59) "Полупроводниковые стабилитроны"
["private"]=>
string(1) "0"
["hits"]=>
string(3) "493"
["like"]=>
string(1) "0"
["extra_title"]=>
NULL
["site_id"]=>
string(5) "12544"
["content_unique"]=>
string(2) "76"
["abs_unique"]=>
string(2) "65"
["category_id"]=>
string(1) "0"
["metka"]=>
NULL
["ban"]=>
string(1) "0"
}
[9]=>
object(stdClass)#17 (12) {
["id"]=>
string(5) "18496"
["label"]=>
string(51) "Полупроводниковые варикапы"
["private"]=>
string(1) "0"
["hits"]=>
string(3) "184"
["like"]=>
string(1) "0"
["extra_title"]=>
NULL
["site_id"]=>
NULL
["content_unique"]=>
NULL
["abs_unique"]=>
NULL
["category_id"]=>
string(1) "0"
["metka"]=>
NULL
["ban"]=>
string(1) "2"
}
[10]=>
object(stdClass)#18 (12) {
["id"]=>
string(5) "18497"
["label"]=>
string(66) "Полупроводниковые обращенные диоды"
["private"]=>
string(1) "0"
["hits"]=>
string(3) "174"
["like"]=>
string(1) "0"
["extra_title"]=>
NULL
["site_id"]=>
NULL
["content_unique"]=>
NULL
["abs_unique"]=>
NULL
["category_id"]=>
string(1) "0"
["metka"]=>
NULL
["ban"]=>
string(1) "2"
}
[11]=>
object(stdClass)#19 (12) {
["id"]=>
string(5) "18498"
["label"]=>
string(66) "Полупроводниковые туннельные диоды"
["private"]=>
string(1) "0"
["hits"]=>
string(3) "452"
["like"]=>
string(1) "0"
["extra_title"]=>
NULL
["site_id"]=>
string(5) "12545"
["content_unique"]=>
string(2) "89"
["abs_unique"]=>
string(2) "75"
["category_id"]=>
string(1) "0"
["metka"]=>
NULL
["ban"]=>
string(1) "0"
}
[12]=>
object(stdClass)#20 (12) {
["id"]=>
string(5) "18499"
["label"]=>
string(103) "Устройство и принцип действия биополярного транзистора"
["private"]=>
string(1) "0"
["hits"]=>
string(3) "666"
["like"]=>
string(1) "0"
["extra_title"]=>
NULL
["site_id"]=>
NULL
["content_unique"]=>
string(2) "63"
["abs_unique"]=>
string(2) "59"
["category_id"]=>
string(1) "0"
["metka"]=>
NULL
["ban"]=>
string(1) "0"
}
[13]=>
object(stdClass)#21 (12) {
["id"]=>
string(5) "18500"
["label"]=>
string(93) "Модель Молла - Эберса для биополярного транзистора"
["private"]=>
string(1) "0"
["hits"]=>
string(3) "215"
["like"]=>
string(1) "1"
["extra_title"]=>
NULL
["site_id"]=>
NULL
["content_unique"]=>
NULL
["abs_unique"]=>
NULL
["category_id"]=>
string(1) "0"
["metka"]=>
NULL
["ban"]=>
string(1) "1"
}
[14]=>
object(stdClass)#22 (12) {
["id"]=>
string(5) "18503"
["label"]=>
string(144) "Эффект модуляции ширины базы и его влияние на работу биополярного транзистора"
["private"]=>
string(1) "0"
["hits"]=>
string(3) "305"
["like"]=>
string(1) "0"
["extra_title"]=>
NULL
["site_id"]=>
NULL
["content_unique"]=>
string(2) "32"
["abs_unique"]=>
string(2) "25"
["category_id"]=>
string(1) "0"
["metka"]=>
NULL
["ban"]=>
string(1) "3"
}
[15]=>
object(stdClass)#23 (12) {
["id"]=>
string(5) "18504"
["label"]=>
string(154) "Способ включения и статические характеристики биполярного транзистора в схеме с ОЭ"
["private"]=>
string(1) "0"
["hits"]=>
string(3) "184"
["like"]=>
string(1) "0"
["extra_title"]=>
NULL
["site_id"]=>
NULL
["content_unique"]=>
NULL
["abs_unique"]=>
NULL
["category_id"]=>
string(1) "0"
["metka"]=>
NULL
["ban"]=>
string(1) "1"
}
[16]=>
object(stdClass)#24 (12) {
["id"]=>
string(5) "18505"
["label"]=>
string(154) "Способ включения и статические характеристики биполярного транзистора в схеме с ОБ"
["private"]=>
string(1) "0"
["hits"]=>
string(3) "625"
["like"]=>
string(1) "0"
["extra_title"]=>
NULL
["site_id"]=>
string(5) "12546"
["content_unique"]=>
string(2) "73"
["abs_unique"]=>
string(2) "62"
["category_id"]=>
string(1) "0"
["metka"]=>
NULL
["ban"]=>
string(1) "0"
}
[17]=>
object(stdClass)#25 (12) {
["id"]=>
string(5) "18506"
["label"]=>
string(85) "Система H - параметров биполярного транзистора"
["private"]=>
string(1) "0"
["hits"]=>
string(3) "298"
["like"]=>
string(1) "0"
["extra_title"]=>
NULL
["site_id"]=>
NULL
["content_unique"]=>
string(2) "98"
["abs_unique"]=>
string(2) "92"
["category_id"]=>
string(1) "0"
["metka"]=>
string(10) "1413664107"
["ban"]=>
string(1) "2"
}
[18]=>
object(stdClass)#26 (12) {
["id"]=>
string(5) "18507"
["label"]=>
string(53) "Диодные тиристоры(динисторы)"
["private"]=>
string(1) "0"
["hits"]=>
string(3) "208"
["like"]=>
string(1) "0"
["extra_title"]=>
NULL
["site_id"]=>
NULL
["content_unique"]=>
NULL
["abs_unique"]=>
NULL
["category_id"]=>
string(1) "0"
["metka"]=>
NULL
["ban"]=>
string(1) "2"
}
[19]=>
object(stdClass)#27 (12) {
["id"]=>
string(5) "18508"
["label"]=>
string(59) "Триодные тринисторы(тринисторы)"
["private"]=>
string(1) "0"
["hits"]=>
string(3) "467"
["like"]=>
string(1) "0"
["extra_title"]=>
NULL
["site_id"]=>
string(5) "12547"
["content_unique"]=>
string(2) "74"
["abs_unique"]=>
string(2) "73"
["category_id"]=>
string(1) "0"
["metka"]=>
NULL
["ban"]=>
string(1) "0"
}
[20]=>
object(stdClass)#28 (12) {
["id"]=>
string(5) "18509"
["label"]=>
string(209) "Устройство и принцип работы МДП – транзистора с управляющим p-n переходом, статические характеристики в схеме с ОИ"
["private"]=>
string(1) "0"
["hits"]=>
string(3) "619"
["like"]=>
string(1) "0"
["extra_title"]=>
NULL
["site_id"]=>
string(5) "12548"
["content_unique"]=>
string(2) "92"
["abs_unique"]=>
string(2) "82"
["category_id"]=>
string(1) "0"
["metka"]=>
NULL
["ban"]=>
string(1) "0"
}
[21]=>
object(stdClass)#29 (12) {
["id"]=>
string(5) "18510"
["label"]=>
string(205) "Устройство и принцип работы МДП - транзистора с индуцированным каналом, статические характеристики в схеме с ОИ"
["private"]=>
string(1) "0"
["hits"]=>
string(3) "585"
["like"]=>
string(1) "0"
["extra_title"]=>
NULL
["site_id"]=>
string(5) "12549"
["content_unique"]=>
string(2) "96"
["abs_unique"]=>
string(2) "92"
["category_id"]=>
string(1) "0"
["metka"]=>
NULL
["ban"]=>
string(1) "0"
}
[22]=>
object(stdClass)#30 (12) {
["id"]=>
string(5) "18511"
["label"]=>
string(198) "Устройство и принцип работы МДП - транзистора со встроенным каналом,статические характеристики в схеме с ОИ"
["private"]=>
string(1) "0"
["hits"]=>
string(3) "954"
["like"]=>
string(1) "0"
["extra_title"]=>
NULL
["site_id"]=>
string(5) "12550"
["content_unique"]=>
string(2) "77"
["abs_unique"]=>
string(2) "63"
["category_id"]=>
string(1) "0"
["metka"]=>
NULL
["ban"]=>
string(1) "0"
}
[23]=>
object(stdClass)#31 (12) {
["id"]=>
string(5) "18513"
["label"]=>
string(86) "Оптоэлектронные полупроводниковые излучатели"
["private"]=>
string(1) "0"
["hits"]=>
string(3) "172"
["like"]=>
string(1) "1"
["extra_title"]=>
NULL
["site_id"]=>
NULL
["content_unique"]=>
NULL
["abs_unique"]=>
NULL
["category_id"]=>
string(1) "0"
["metka"]=>
NULL
["ban"]=>
string(1) "2"
}
[24]=>
object(stdClass)#32 (12) {
["id"]=>
string(5) "18514"
["label"]=>
string(103) "Оптоэлектронные полупроводниковые приемники излучения"
["private"]=>
string(1) "0"
["hits"]=>
string(4) "1144"
["like"]=>
string(1) "0"
["extra_title"]=>
NULL
["site_id"]=>
NULL
["content_unique"]=>
string(2) "84"
["abs_unique"]=>
string(2) "75"
["category_id"]=>
string(1) "0"
["metka"]=>
NULL
["ban"]=>
string(1) "0"
}
}
|
19.10.2014; 00:28
хиты: 14377
рейтинг:+1
|
|
|
|
|
|
Copyright © 2013-2025. All Rights Reserved. |
помощь
|
|
