d d

»	Электроника NEW!
»	Электроника

array(25) { [0]=> object(stdClass)#7 (12) { ["id"]=> string(5) "17583" ["label"]=> string(73) "Собственные и примесные полупроводники" ["private"]=> string(1) "0" ["hits"]=> string(3) "218" ["like"]=> string(1) "0" ["extra_title"]=> NULL ["site_id"]=> NULL ["content_unique"]=> NULL ["abs_unique"]=> NULL ["category_id"]=> string(1) "0" ["metka"]=> NULL ["ban"]=> string(1) "1" } [1]=> object(stdClass)#9 (12) { ["id"]=> string(5) "17592" ["label"]=> string(80) "Процессы переноса заряда в полупроводниках" ["private"]=> string(1) "0" ["hits"]=> string(4) "1473" ["like"]=> string(1) "0" ["extra_title"]=> NULL ["site_id"]=> string(5) "12530" ["content_unique"]=> string(3) "100" ["abs_unique"]=> string(3) "100" ["category_id"]=> string(1) "0" ["metka"]=> NULL ["ban"]=> string(1) "0" } [2]=> object(stdClass)#10 (12) { ["id"]=> string(5) "17876" ["label"]=> string(85) "Электронно-дырочный переход - образование и тд" ["private"]=> string(1) "0" ["hits"]=> string(3) "677" ["like"]=> string(1) "0" ["extra_title"]=> NULL ["site_id"]=> string(5) "12531" ["content_unique"]=> string(2) "97" ["abs_unique"]=> string(2) "89" ["category_id"]=> string(1) "0" ["metka"]=> NULL ["ban"]=> string(1) "0" } [3]=> object(stdClass)#11 (12) { ["id"]=> string(5) "17877" ["label"]=> string(117) "Процессы в электронно - дырочном переходе при прямом напряжении" ["private"]=> string(1) "0" ["hits"]=> string(3) "206" ["like"]=> string(1) "0" ["extra_title"]=> NULL ["site_id"]=> NULL ["content_unique"]=> NULL ["abs_unique"]=> NULL ["category_id"]=> string(1) "0" ["metka"]=> NULL ["ban"]=> string(1) "1" } [4]=> object(stdClass)#12 (12) { ["id"]=> string(5) "17878" ["label"]=> string(86) "Процессы в пн-переходе при обратном напряжении" ["private"]=> string(1) "0" ["hits"]=> string(3) "163" ["like"]=> string(1) "0" ["extra_title"]=> NULL ["site_id"]=> NULL ["content_unique"]=> NULL ["abs_unique"]=> NULL ["category_id"]=> string(1) "0" ["metka"]=> NULL ["ban"]=> string(1) "1" } [5]=> object(stdClass)#13 (12) { ["id"]=> string(5) "17879" ["label"]=> string(82) "ВАХ.Температурные и емкостные св-ва перехода" ["private"]=> string(1) "0" ["hits"]=> string(3) "182" ["like"]=> string(1) "0" ["extra_title"]=> NULL ["site_id"]=> NULL ["content_unique"]=> NULL ["abs_unique"]=> NULL ["category_id"]=> string(1) "0" ["metka"]=> NULL ["ban"]=> string(1) "1" } [6]=> object(stdClass)#14 (12) { ["id"]=> string(5) "17880" ["label"]=> string(95) "Пробой пн-перехода - лавинный, туннельный и тепловой" ["private"]=> string(1) "0" ["hits"]=> string(3) "656" ["like"]=> string(1) "1" ["extra_title"]=> NULL ["site_id"]=> NULL ["content_unique"]=> string(2) "16" ["abs_unique"]=> string(2) "13" ["category_id"]=> string(1) "0" ["metka"]=> NULL ["ban"]=> string(1) "3" } [7]=> object(stdClass)#15 (12) { ["id"]=> string(5) "17881" ["label"]=> string(74) "Полупроводниковые выпрямительные диоды" ["private"]=> string(1) "0" ["hits"]=> string(3) "491" ["like"]=> string(1) "0" ["extra_title"]=> string(229) "Полупроводниковые выпрямительные диоды – устройство,принцип действия, особенности применения, характеристики и параметры." ["site_id"]=> NULL ["content_unique"]=> string(1) "8" ["abs_unique"]=> string(1) "7" ["category_id"]=> string(1) "0" ["metka"]=> string(10) "1398636937" ["ban"]=> string(1) "3" } [8]=> object(stdClass)#16 (12) { ["id"]=> string(5) "17882" ["label"]=> string(59) "Полупроводниковые стабилитроны" ["private"]=> string(1) "0" ["hits"]=> string(3) "222" ["like"]=> string(1) "0" ["extra_title"]=> NULL ["site_id"]=> NULL ["content_unique"]=> NULL ["abs_unique"]=> NULL ["category_id"]=> string(1) "0" ["metka"]=> NULL ["ban"]=> string(1) "2" } [9]=> object(stdClass)#17 (12) { ["id"]=> string(5) "17883" ["label"]=> string(51) "Полупроводниковые варикапы" ["private"]=> string(1) "0" ["hits"]=> string(4) "1702" ["like"]=> string(1) "1" ["extra_title"]=> NULL ["site_id"]=> string(5) "12532" ["content_unique"]=> string(2) "62" ["abs_unique"]=> string(2) "61" ["category_id"]=> string(1) "0" ["metka"]=> NULL ["ban"]=> string(1) "0" } [10]=> object(stdClass)#18 (12) { ["id"]=> string(5) "17884" ["label"]=> string(66) "Полупроводниковые обращенные диоды" ["private"]=> string(1) "0" ["hits"]=> string(3) "809" ["like"]=> string(1) "0" ["extra_title"]=> NULL ["site_id"]=> string(5) "12533" ["content_unique"]=> string(2) "89" ["abs_unique"]=> string(2) "82" ["category_id"]=> string(1) "0" ["metka"]=> NULL ["ban"]=> string(1) "0" } [11]=> object(stdClass)#19 (12) { ["id"]=> string(5) "17885" ["label"]=> string(65) "Полупроводниковые туннельныедиоды" ["private"]=> string(1) "0" ["hits"]=> string(3) "520" ["like"]=> string(1) "0" ["extra_title"]=> NULL ["site_id"]=> string(5) "12534" ["content_unique"]=> string(2) "75" ["abs_unique"]=> string(2) "71" ["category_id"]=> string(1) "0" ["metka"]=> NULL ["ban"]=> string(1) "0" } [12]=> object(stdClass)#20 (12) { ["id"]=> string(5) "17886" ["label"]=> string(101) "Устройство и принцип действия биполярного транзистора" ["private"]=> string(1) "0" ["hits"]=> string(3) "516" ["like"]=> string(1) "0" ["extra_title"]=> string(179) "Устройство и принцип действия биополярного транзистора. Структура токов, основные режимы работы." ["site_id"]=> string(4) "6946" ["content_unique"]=> string(2) "86" ["abs_unique"]=> string(2) "79" ["category_id"]=> string(1) "0" ["metka"]=> string(10) "1441654923" ["ban"]=> string(1) "0" } [13]=> object(stdClass)#21 (12) { ["id"]=> string(5) "17887" ["label"]=> string(71) "Модель Молла-Эберса для биполярного тр" ["private"]=> string(1) "0" ["hits"]=> string(3) "143" ["like"]=> string(1) "0" ["extra_title"]=> NULL ["site_id"]=> NULL ["content_unique"]=> NULL ["abs_unique"]=> NULL ["category_id"]=> string(1) "0" ["metka"]=> NULL ["ban"]=> string(1) "1" } [14]=> object(stdClass)#22 (12) { ["id"]=> string(5) "17888" ["label"]=> string(53) "Эффект модуляции ширины базы" ["private"]=> string(1) "0" ["hits"]=> string(3) "307" ["like"]=> string(1) "1" ["extra_title"]=> NULL ["site_id"]=> NULL ["content_unique"]=> string(2) "37" ["abs_unique"]=> string(2) "32" ["category_id"]=> string(1) "0" ["metka"]=> NULL ["ban"]=> string(1) "3" } [15]=> object(stdClass)#23 (12) { ["id"]=> string(5) "17889" ["label"]=> string(104) "Способ включения и статические хар-ки бип.тр. в схеме с ОЭ" ["private"]=> string(1) "0" ["hits"]=> string(3) "151" ["like"]=> string(1) "0" ["extra_title"]=> NULL ["site_id"]=> NULL ["content_unique"]=> NULL ["abs_unique"]=> NULL ["category_id"]=> string(1) "0" ["metka"]=> NULL ["ban"]=> string(1) "1" } [16]=> object(stdClass)#24 (12) { ["id"]=> string(5) "17890" ["label"]=> string(104) "Способ включения и статические хар-ки бип.тр. в схеме с ОБ" ["private"]=> string(1) "0" ["hits"]=> string(3) "433" ["like"]=> string(1) "0" ["extra_title"]=> NULL ["site_id"]=> NULL ["content_unique"]=> string(2) "52" ["abs_unique"]=> string(2) "44" ["category_id"]=> string(1) "0" ["metka"]=> NULL ["ban"]=> string(1) "0" } [17]=> object(stdClass)#25 (12) { ["id"]=> string(5) "17891" ["label"]=> string(68) "Система Н - параметров биполярного тр" ["private"]=> string(1) "0" ["hits"]=> string(4) "1010" ["like"]=> string(1) "0" ["extra_title"]=> NULL ["site_id"]=> string(4) "1477" ["content_unique"]=> string(2) "99" ["abs_unique"]=> string(2) "95" ["category_id"]=> string(1) "0" ["metka"]=> string(10) "1414077149" ["ban"]=> string(1) "0" } [18]=> object(stdClass)#26 (12) { ["id"]=> string(5) "17892" ["label"]=> string(53) "Диодные тиристоры(динисторы)" ["private"]=> string(1) "0" ["hits"]=> string(3) "587" ["like"]=> string(1) "0" ["extra_title"]=> NULL ["site_id"]=> string(5) "12535" ["content_unique"]=> string(2) "92" ["abs_unique"]=> string(2) "89" ["category_id"]=> string(1) "0" ["metka"]=> NULL ["ban"]=> string(1) "0" } [19]=> object(stdClass)#27 (12) { ["id"]=> string(5) "17893" ["label"]=> string(57) "Триодные тиристоры(тринисторы)" ["private"]=> string(1) "0" ["hits"]=> string(3) "483" ["like"]=> string(1) "0" ["extra_title"]=> NULL ["site_id"]=> string(5) "12536" ["content_unique"]=> string(2) "85" ["abs_unique"]=> string(2) "84" ["category_id"]=> string(1) "0" ["metka"]=> NULL ["ban"]=> string(1) "0" } [20]=> object(stdClass)#28 (12) { ["id"]=> string(5) "17894" ["label"]=> string(122) "Устройство и принцип работы МДП-транзистора с управляющим каналом" ["private"]=> string(1) "0" ["hits"]=> string(3) "557" ["like"]=> string(1) "0" ["extra_title"]=> NULL ["site_id"]=> string(5) "12537" ["content_unique"]=> string(2) "95" ["abs_unique"]=> string(2) "89" ["category_id"]=> string(1) "0" ["metka"]=> NULL ["ban"]=> string(1) "0" } [21]=> object(stdClass)#29 (12) { ["id"]=> string(5) "17895" ["label"]=> string(128) "Устройство и принцип работы МДП-транзистора с индуцированным каналом" ["private"]=> string(1) "0" ["hits"]=> string(3) "588" ["like"]=> string(1) "0" ["extra_title"]=> NULL ["site_id"]=> string(5) "12538" ["content_unique"]=> string(2) "95" ["abs_unique"]=> string(2) "91" ["category_id"]=> string(1) "0" ["metka"]=> NULL ["ban"]=> string(1) "0" } [22]=> object(stdClass)#30 (12) { ["id"]=> string(5) "17896" ["label"]=> string(122) "Устройство и принцип работы МДП-транзистора со встроенным каналом" ["private"]=> string(1) "0" ["hits"]=> string(3) "564" ["like"]=> string(1) "0" ["extra_title"]=> NULL ["site_id"]=> string(5) "12539" ["content_unique"]=> string(2) "76" ["abs_unique"]=> string(2) "61" ["category_id"]=> string(1) "0" ["metka"]=> NULL ["ban"]=> string(1) "0" } [23]=> object(stdClass)#31 (12) { ["id"]=> string(5) "17897" ["label"]=> string(86) "Оптоэлектронные полупроводниковые излучатели" ["private"]=> string(1) "0" ["hits"]=> string(3) "437" ["like"]=> string(1) "0" ["extra_title"]=> NULL ["site_id"]=> string(5) "12540" ["content_unique"]=> string(3) "100" ["abs_unique"]=> string(3) "100" ["category_id"]=> string(1) "0" ["metka"]=> NULL ["ban"]=> string(1) "0" } [24]=> object(stdClass)#32 (12) { ["id"]=> string(5) "17898" ["label"]=> string(103) "Оптоэлектронные полупроводниковые приемники излучения" ["private"]=> string(1) "0" ["hits"]=> string(3) "149" ["like"]=> string(1) "0" ["extra_title"]=> NULL ["site_id"]=> NULL ["content_unique"]=> NULL ["abs_unique"]=> NULL ["category_id"]=> string(1) "0" ["metka"]=> NULL ["ban"]=> string(1) "2" } }

	1	Собственные и примесные полупроводники
	2	Процессы переноса заряда в полупроводниках
	3	Электронно-дырочный переход - образование и тд
	4	Процессы в электронно - дырочном переходе при прямом напряжении
	5	Процессы в пн-переходе при обратном напряжении
	6	ВАХ.Температурные и емкостные св-ва перехода
	7	Пробой пн-перехода - лавинный, туннельный и тепловой
	8	Полупроводниковые выпрямительные диоды
	9	Полупроводниковые стабилитроны
	10	Полупроводниковые варикапы
	11	Полупроводниковые обращенные диоды
	12	Полупроводниковые туннельныедиоды
	13	Устройство и принцип действия биполярного транзистора
	14	Модель Молла-Эберса для биполярного тр
	15	Эффект модуляции ширины базы
	16	Способ включения и статические хар-ки бип.тр. в схеме с ОЭ
	17	Способ включения и статические хар-ки бип.тр. в схеме с ОБ
	18	Система Н - параметров биполярного тр
	19	Диодные тиристоры(динисторы)
	20	Триодные тиристоры(тринисторы)
	21	Устройство и принцип работы МДП-транзистора с управляющим каналом
	22	Устройство и принцип работы МДП-транзистора с индуцированным каналом
	23	Устройство и принцип работы МДП-транзистора со встроенным каналом
	24	Оптоэлектронные полупроводниковые излучатели
	25	Оптоэлектронные полупроводниковые приемники излучения