Устройство и принцип работы МДП - транзистора со встроенным каналом,статические характеристики в схеме с ОИ

Ic = f(Uзи) | Uси =const

Параметры

Uзи порог

S = дельта(Iс)/ дельта (Uзи) | Uси =const

Ic0

Ic = f(Uси) | Uзи =const – выходная хар-ка

Параметры

Uнасыщения

Umax

Если в отсутствии напряжения на затворе приложить Uси, то через канал потечет ток, представляющий собой поток электронов.Через подложку ток не потечет(пн под обратным напряжением)

При подаче на затвор напряжения отрицательно относительно истока, канал объединяется основными носителями – электронами, его сопротивление увеличивается, и Ic уменьшается

При подаче на затвор положительного напряжения, относительно истока. Электр.поле в канале будет притягивать электроны из истока и стока, проводимость увеличивается, Ic возрастает(режим обогащения)