Устройство и принцип работы МДП - транзистора с индуцированным каналом, статические характеристики в схеме с ОИ

В основе работы эффект поля. Изменение концентрации основных носителей заряда при поверхностном слое полупроводника под действием эл.поля.

При подачи Uси ток стока будет отсутствовать (из-за обр. напряжения на пн- переходе)

Режим насыщения: При подаче «-» на затвор, если же «+», то создаваемое Uзи поперечное эл. поле будет уменьшать концентрац.основ. нос.заряда(режим объединения)

а при Uзи > Uпорог. под затвором образуется инверсный слой роли проводящего канала между стоком и истоком. Меняя затворное напряжение, меняем толщину d и поперечное сечение канала между стоком и истоком. Управляем током стока путем изменения затворного напряжения

Канал н –типа

Канал р-типа

Схема включения с ОИ

Параметры

1)порог

2)      Крутизна S = дельта(Iс)/ дельта (Uзи) | Uси =const

3)си допустимое

4)д = дельта(си)/ дельта (с) | зи =

Отсутствуют затраты энергии на управление, но выводится из строя от стат. электричества.