Это четырехслойная полупроводниковая структура, в которой одна из базовых областей сделана управляющей.
Базовый вывод позволяет управлять током близлежащего эмиттера. Для этого на управляющий электрод подается напряжение такой полярности, которое обеспечит отпирание эмиттерного перехода. В этом случае процессы отпирания и запирания осуществляется за счёт изменения приложенного напряжения на управляющем электроде.
.jpg)
С возрастанием Uупр, следовательно Iупр уменьшается напряжения включения транзистора и при достаточно большом значении Iупр вид прямой ВАХ тринистора аналогичен прямой ВАХ диода.
