Устройство.
Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый двухпереходный прибор с тремя выводами, пригодный для усиления мощности.
Принцип действия и структура токов.
Заключается в инжекции основных носителей из эммитора в базу в переносе их через базовую область и собирание их затем коллектором.
Iк = Iкб0 + Iкр
Iэ = Iэп + Iэр + Iб рекомбинации
Iб = - Iкб0 + Iб инжекции
Основные режимы работы.
Различают 3 режима работы транзисторов.
1. Режим отсечки – когда оба перехода смещены в обратном направлении (закрыты).
2. Режим насыщения – оба перехода смещены в прямом направлении.
3. Активный режим – когда эмиттерный переход смещён в прямом, а коллекторный – в обратном.
4. Инверсный режим - когда эмиттерный переход смещён в обратном, а коллекторный – в прямом.