Устройство.
Это полупроводниковый диод на основе выражденного полупроводника в котором туннельный эффект приводит к появлению на прямой ветви ВАХ с отрицательным дифференциальным сопротивлением.
Принцип действия.
.jpg)
Участок 0,1,2 – рост тока обусловлен тем ,что в туннелировании участвуют основные носители заряда (электроны) и увеличение прямого напряжения приводит к тому что на одном уровне оказывается энергетические уровни наиболее густо «населенные» основнымые носители заряда.
Участок 3 – перекрытие уровней уменьшается.
Участок 4 - дно зоны проводимости поднимается выше потолка валентной зоны.
Участок 5 – рост тока обуславливается тем,что прикладывает довольно большое напряжение и больше число электронов будет участвовать в диффузии.
Особенности применения.
Туннельные диоды могут работать на очень высоких частотах, вплоть до нескольких сотен ГГц. Диоды применяются в качестве генераторов и высокочастотных переключателей.
Характеристики и параметры.
Изменяя прямое напряжение мы меняем взаимное расположение энергетических уровней.
Фактически координаты особенных точек этой ВАХ
1. Iп – пиковый ток, соответствующий максимуму тока ВАХ.
2. Iв – ток впадины, соответствующий минимуму тока ВАХ.
3. Uп – напряжение пика.
4. Uв – напряжение впадины.
