пользователей: 30398
предметов: 12406
вопросов: 234839
Конспект-online
РЕГИСТРАЦИЯ ЭКСКУРСИЯ


Устройство и принцип работы МДП-транзистора со встроенным каналом

Ic = f(Uзи) | Uси =const

Параметры

Uзи порог

S = дельта(Iс)/ дельта (Uзи) | Uси =const

Ic0

 

 

 

Ic = f(Uси) | Uзи =const – выходная хар-ка

Параметры

 

Uнасыщения

Umax

 

Если в отсутствии напряжения на затворе приложить Uси, то через канал потечет ток, представляющий собой поток электронов.Через подложку ток не потечет(пн под обратным напряжением)

 

При подаче на затвор напряжения отрицательно относительно истока, канал объединяется основными носителями – электронами, его сопротивление увеличивается, и Ic уменьшается

 

При подаче на затвор положительного напряжения, относительно истока. Электр.поле в канале будет притягивать электроны из истока и стока, проводимость увеличивается, Ic возрастает(режим обогащения)


хиты: 536
рейтинг:0
Естественные науки
физика
оптоэлектроника
для добавления комментариев необходимо авторизироваться.
  Copyright © 2013-2024. All Rights Reserved. помощь