В основе работы эффект поля. Изменение концентрации основных носителей заряда при поверхностном слое полупроводника под действием эл.поля.
При подачи Uси ток стока будет отсутствовать(из-за обр. напряжения на пн- переходе)
Режим насыщения: При подаче «-» на затвор, если же «+», то создаваемое Uзи поперечное эл. поле будет уменьшать концентрац.основ. нос.заряда(режим объединения)
а при Uзи > Uпорог. под затвором образуется инверсный слой роли проводящего канала между стоком и истоком.Меняя затворное напряжение, меняем толщину d и поперечное сечение канала между стоком и истоком.Управляем током стока путем изменения затворного напряжения
канал н –типа
канал р-типа
Схема включения с ОИ
Ic = f(Uзи)| Uси =const
Ic = f(Uси)| Uзи =const
ОА – «открытый канал»
АВ – замедление роста тока, из-за увеличения сопрот.канала.
Uзк(х) = Uзи – Uси
В точке Б.
Ток стока протекающий по каналу будет создавать падение напряжения,которое будет уменьшать поперечное эл.поле.
Поле будет максимально у истока и минимально у стока. В результате канал будет сужаться к стоку.
В точке Б выходной стоковой хар-ки произойдет перекрытие канала у стока.
В точке В: участок пробоя.
Параметры
- Uпорог
2) Крутизна S = дельта(Iс)/ дельта (Uзи) | Uси =const
- Uси допустимое
- Rд = дельта(Uси)/ дельта (Iс) | Uзи =const
Отсутствуют затраты энергии на управлени, но выводится из строя от стат.электричества.
