Вопрос 17. Способ включения и статические характеристики биполярного транзистора в схеме с ОБ.
Способ включения.
Статические характеристики биполярного транзистора в схеме с ОЭ.
1)Входные характеристики
Iэ = f(Uэб) | Uкб = const
Особенности:
а)Падением напряжения на неучтённом объёмном сопротивлении базы - rб .
б)Увеличение отрицательного напряжения на коллекторе при Uэб = const, сопровождающееся уменьшением толщины базы, приводит к уменьшению как rб , так и Iб, а следовательно к увеличению тока эмиттера. По этой же причине, все кривые семейства реальных входных характеристик идут положе.
2)Выходные характеристики
Iк = f(Uкэ) | Iэ = const
Особенности:
а)-небольшой наклон т.к. Iк=Iэ-Iб, т.к. Iэ = const, а рекомбинационная составляющая Iб уменьшается с увеличением Uкб.
б)-расстояние между характеристиками уменьшается с ростом тока Iэ, т.к. при больших токах уменьшается. При малом токе эмиттера рекомбинация в базе играет существенную роль и до коллекторного перехода доходит меньшее количество дырок, т.е. мал ν, а при больших токах эмиттера растёт, из-за насыщения базы электронами, следовательно уменьшается γ.
в)-при больших напряжениях Uкб наступает пробой коллекторного перехода. При больших токах коллектора лавинный пробой может перейти в тепловой, поэтому на семействе выходных характеристик наносят гиперболу допустимой мощности рассеяния на коллекторе Pк.макс=Iк Uкб.
г)-спад коллекторного тока (режим насыщения) происходит во втором квадранте.
Напряжение на коллекторе соответствующее пробою коллекторного перехода, при Iэ=0, обозначают как Uкб0проб.
