Вопрос 3. Электронно-дырочный переход – обазование p-n перехода, распределение концентрации носителей заряда, энергетическая диаграмма p-n перехода в отсутствии внешнего напряжения.
Контактные явления в полупроводниках - это явления на границе контакта полупроводников разного типа контакта полупроводника с металлом и тд.
Электронно-дырочный переход (пн-переход) - это переходный слой на границе полупроводников с разными типами проводимости в котором существует диффузионное электрическое поле присутствует контактная разность потенциалов и которое обладает интересными, особенными свойствами.
Переходный слой - располагается вблизи границы металлургического контакта 2-ух полупроводников он нужен для построения полупроводниковых приборов, диодов, транзисторов.
Взяли полпроводник н-типа.
Носители с той области где высокая концентрация будет двигаться в сторону где их мало.
Перешедшие электроны и дырки вследствии диффузии будут образовывать диффузионный ток.
Возникает сначала диффузионный ток,пораждающий поле,потом дрейфовый ток вызванный действием этого поля.
И поскольку они встречно направлены, то они будут друг другу мешать и в результате установится некоторое равновесное состояние вследствии которого абсоолютные значения,тока станут дрейфовые и диффузионные одинаковы и соответсвенно суммарный ток через металлургическую границу станет равен нулю.
Ток не может протекать,тк цепь разомкнута.
