пользователей: 30398
предметов: 12406
вопросов: 234839
Конспект-online
РЕГИСТРАЦИЯ ЭКСКУРСИЯ

8. Статические и динамические характеристики IGBT-транзисторов.

Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) — трёх электродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питанияинверторах, в системах управления электрическими приводами.

Рис 4. Условное графическое обозначение БТИЗ.

По своей внутренней структуре БТИЗ представляет собой каскадное включение двух электронных ключей: входной ключ на полевом транзисторе управляет мощным оконечным ключом на биполярном транзисторе. Управляющий электрод называется затвором, как у полевого транзистора, два других электрода — эмиттером и коллектором, как у биполярного. Такое составное включение полевого и биполярного транзисторов позволяет сочетать в одном устройстве достоинства обоих типов полупроводниковых приборов.

Вольт-амперная характеристика (ВАХ) IGBT изображена на рис. 5. Величина порогового напряжения (минимальное напряжение между «затвором» и «эмиттером», при котором транзистор начинает открываться) составляет примерно 5V. Полное отпирание гарантируется при напряжении между «затвором» и «эмиттером» больше или равным 15V.

 

 


16.01.2016; 21:07
хиты: 162
рейтинг:0
для добавления комментариев необходимо авторизироваться.
  Copyright © 2013-2024. All Rights Reserved. помощь