пользователей: 21209
предметов: 10450
вопросов: 177346
Конспект-online
зарегистрируйся или войди через vk.com чтобы оставить конспект.
РЕГИСТРАЦИЯ ЭКСКУРСИЯ

Образование p-n перехода и его свойства

Важное значение в работе полупроводниковых приборах имеет p-n-переход – электронно-дырочный переход – это область на границе 2х полупроводников, один из которых имеет дырочную, а другой электронную электропроводность.

Запирающий слой лишен свободных носителей заряда и

поэтому обладает высоким сопротивлением. В нем возникает

электрическое поле напряженности Езап – ЭДС запирающего слоя.

В процессе образования в p-n-переходе устанавливается динамическое равновесие Iдр =  Iдиф, где Iдр – дрейфовый ток, обусловлен движением через p-n-переход основных носителей заряда; Iдиф – диффузионный ток, обусловлен движением через p-n-переход не основных носителей заряда.

При подключении внешнего источника питания, динамическое равновесие нарушается и p-n-переход получает следующие свойства.

1) ЭДС внешнего поля направлен навстречу ЭДС запирающего поля.

Запирающий слой уменьшается и при Евн = 0,4 – 0,6 В исчезает вовсе.

Сопротивление p-n-перехода стремится к 0. p-n-переход называется открытым и через него протекает большой прямой ток (Iпр).

2) ЭДС внешнего поля направлен в ту же сторону, что и ЭДС

запирающего слоя. Ширина запирающего слоя увеличивается. Его

сопротивление возрастает. Через p-n-переход протекает маленький ток,

который называют обратным (Iобр). p-n-переход – закрытый.

 


17.06.2015; 12:47
хиты: 49
рейтинг:0
для добавления комментариев необходимо авторизироваться.
  Copyright © 2013-2016. All Rights Reserved. помощь