Они основаны на зависимости электрической ёмкости конденсатора от размеров взаимного расположения его обкладок и диэлектрической проницаемости среды между ними.
C=(Ɛ0*E*S)/б Ɛ0-диэлектрическая постоянная;E-относительная диэлектрическая проницаемость среды между обкладками;S-активная площадь обкладок;б-расстояние между обкладками.
Видно что преобразователь может быть построен по следующей зависимости:C=f1(E);С1=f1(S);C=f2(б)
Ёмкостные преобразователи могут быть построены по следующим схемам :
.png)
.png)
