- потери сквозной электропроводности, которые существенны при повышенных температурах и напряжениях;
- потери, обусловленные поляризацией (релаксационные);
- ионизационные потери (в основном для газообразных диэлектриков)
- потери, обусловленные неоднородностью структуры диэлектриков.
Диэлектрические потери характеризуются рассеиваемой мощностью, tg угла потерь и удельными потерями.
Частотная зависимость тангенса угла диэлектрических потерь (tgδ) в TlInSe2 обусловлена не только релаксационной поляризацией, но и сквозной проводимостью.
Значение тангенса угла диэлектрических потерь (tgδ) нормируется для температуры 20 °С, поэтому измерение следует производить при температурах, близких к нормированной (10 - 20 оС). В этом диапазоне температур изменение диэлектрических потерь невелико, и для некоторых типов изоляции измеренное значение может без пересчета сравниваться с нормированным для 20 °С.
