пользователей: 21252
предметов: 10461
вопросов: 177855
Конспект-online
зарегистрируйся или войди через vk.com чтобы оставить конспект.
РЕГИСТРАЦИЯ ЭКСКУРСИЯ

I семестр:
» zzzzzzzzzz

13. Литографические процессы технологии ПП ИМС

Фотолитография – совокупность фото и физико-химических процессов, применяемых для создания на пластине заданного топологического слоя с применением фоторезиста и фотошаблона.

Фоторезист – полимерный многокомпонентный материал, стойкий к воздействию кислотных и щелочных травителей.

Фотошаблон – устройство (трафарет, фотомаска), несущее информацию о конфигурации и размерах того или иного слоя ИМС. Цветные фотошаблоны на основе оксида железа позволяют наблюдать рисунок подложки под участками фотошаблона непрозрачным для ультрафиолета и прозрачным для видимого света. Цветные фотошаблоны особенно актуальны при использовании многослойных структур. Процесс фотолитографии включает следующие операции:

1. Подготовка пластин                         5. Проявление

2. Нанесение фоторезиста          6. Задубливание

3. Сушка фоторезиста.                         7. Травление

4. Экспонирование                                8. Удаление фоторезиста

Перед нанесением фоторезиста пластину обрабатывают – очищают от различных примесей, повреждений. Жидкостную очистку желательно не использовать, поэтому предпочтение отдают плазмохимическим методам. После обработки желательно исключить контакт с окружающей средой.

После обработки следует нанесение фоторезиста толщиной 0,1 мкм. Фоторезист наносят струйным методом, чаще всего центрифугированием. Для формирования фотослоя достаточно 20-30 сек. Применяются в основном фоторезисты на основе полимерной матрицы (каучук).

Далее следует сушка фоторезиста. Осуществляется в 2 стадии: низкотемпературная сушка (30 ?C, время до 15 мин) – для удаления растворителей и высокотемпературная сушка (120 ?C) – для формирования структуры фоторезиста, то есть для укладки макромолекул.

Экспонирование – обработка пластин, связанная с созданием вытравленной структуры. Фотошаблон ориентируют относительно пластины по базовому срезу, а далее на фотошаблоне имеются метки или знаки совмещения, которые позволяют сориентировать фотошаблон. Экспонирование проводят в светокопировальных камерах с применением цветных фотошаблонов, и заканчивается получением рисунка топологического слоя.

После экспонирования следует проявление. В качестве проявителей применяются толуол, ксилол и растворы буферные (интенсивные).

Затем следует задубливание фоторезиста (его упрочнение). Это финишная обработка и поскольку фоторезист является полимерным материалом, его снова температурной обработкой уплотняют: сначала отверждение происходит при 50 ?C в течение 1,5 часа и затем идет плавное повышение температуры до 150-160 ?C.

Далее следует травление кремния в растворителях, состоящих из смеси плавиковой (HF), азотной () и уксусной () кислот в соотношении 1:4:4.

Удаление фоторезиста происходит в растворе концентрированной серной кислоты при температуре порядка 160 ?C.

 


хиты: 382
рейтинг:0
для добавления комментариев необходимо авторизироваться.
  Copyright © 2013-2016. All Rights Reserved. помощь