Толстые пленки (18 - 50 мкм) выполняют методом трафаретной печати, последовательным нанесением на керамическую подложку различными по составу паст с их последовательным вжиганием, в результате образуется прочная монолитная структура. Пасты представляют собой композиции мелкозернистых порошков (металлов) и стекла в органич. связующим. При обжиге органическая связка выгорает, стеклянный порошок плавится, смачиваются частицы пасты и при охлаждении обеспечивается сцепление их между собой и керамической подложкой. Различают пасты проводниковые, содержащие порошок серебра, серебра-палладия до 70% от общей массы твердой массы пасты. Паста должна иметь способность к пайке.
Резистивные пасты - на основе серебра и палладия с разным поверхностным сопротивлением. Диэлектрические пасты - на основе титаната бария, диоксида титана. Пасты припойные - для монтажа активных элементов (смесь порошка низкотемпературного припоя, органич. связки и флюса). Нанесение паст производится на установке трафаретной печати придавливанием паст через отверстие сетчатого трафарета (размер ячейки сетки – 80 - 240 мкм). Пасту наносят ракелем из полиуретана в такой последовательности: в первую очередь наносят нижние обкладки конденсатора, коммутацию, индуктивность, диэлектрик конденсатора, верхние обкладки конденсатора и резисторы. Пасту сушат под действием t = 120-200 ?C для удаления летучих соединений. Современными эффективными методами сушки являются ИК-нагрев, который взаимодействует с органич. соединениями. После такой сушки следует вжигание паст (700 - 1000 ?С) в зависимости от материала.
Для резисторов в последнее время разработаны резистивные пасты на основе полимеров, где проводящим элементом служит углерод в виде колоидно-графитового порошка. Эти пасты наносят на поверхность подложки и отверждают. Потом следует присоединение навесных элементов к пассивным пленочным элементам посредством коммутационных проводников. Контактирование производят методами пайки (эвтектическая пайка мягкими припоями), контактолами и широко используют термокомпрессионную сварку. После контактирования производят функциональную подгонку схемы - контролируемым параметром есть непосредственно выходные параметры, характеризующие схему (коэффициент усиления, уровень выходного напряжения). Готовую микросхему устанавливают в корпус.
