1. Термическое испарение в вакууме с последующей конденсацией паров этих материалов на поверхности подложки. Напыляют материал на подложки через съемные маски. Напыление происходит в местах, соответствующих рисунку окон в маске. Материалом съемной маски служит лента из бериллиевой бронзы (толщиной 0.1 - 0.2 мкм), покрытая слоем никеля толщиной около 10 мкм. Но этот способ нанесения тонких пленок не всегда является надежным, поскольку может наблюдаться порабление маски, в результате чего образуются зазоры между подложкой и маской.
2. Более надежным способом создания тонкопленочных микросхем является получение рисунка методом фотолитографии. Для получения рисунка топологического слоя фотолитография требует использования фотошаблона. Фотолитография обеспечивает точное воспроизведение рисунка топологического слоя и после вытравливания конфигурация окон имеет четкие границы.
Кроме указанного метода тонкие пленки наносят методом ионного распыления, химического осаждения пленок (реакция в газовой среде).
Метод ионного распыления базируется на бомбардировке мишени, выполненной из осаждаемого материала, быстрыми частицами (положительными ионными частицами аргона). Эти выбитые частицы осаждаются в виде тонких пленок на подложках. В качестве материалов во всех методах используется хром, нихром, ванадий, титан.
