Структура транзистора с индуцированным каналом и его входная характеристика приведены на рис. 2.7.
Рис. 2.7. МОП транзистор с индуцированным каналом: а – структура транзистора с индуцированным каналом n-типа; б – стокозатворная характеристика
В таком транзисторе при напряжениях на затворе, равных или меньше нуля, канал отсутствует, и ток стока будет равен нулю. При положительных напряжениях на затворе электроны, как неосновные носители заряда подложки р-типа, будут притягиваться к затвору, а дырки будут уходить вглубь подложки. В результате в тонком слое под затвором концентрация электронов превысит концентрацию дырок, т. е. в этом слое полупроводник поменяет тип своей проводимости. Образуется (индуцируется) канал, и в цепи стока потечёт ток. Тогда справедливы следующие выражения:
UЗИ = 0, IC1 = 0;
UЗИ < 0, IC2 = 0;
UЗИ > 0, IC3 > 0.
Следовательно, МОП-транзисторы с индуцированным каналом могут работать только в режиме обогащения.
МОП-транзисторы обладают большим входным сопротивлением, чем транзисторы с управляемым переходом. Rвх = (1013…1015) Ом.
