Туннельный диод - имеющий на вольт-амперной характеристики с отрицательнымдифференциальным сопротивлением. При низких напряжениях (доли вольт) за счет туннельного эффекта ток через диод сначала растет, затем падает и при дальнейшем повышении напряжения (единицы вольт) ток снова растет, как и у обычного диода.
Вольт-амперная характеристика туннельного диода
Параметры туннельного диода:
Iп -ток пика,
Uп - напряжение пика,
Iвп.- ток впадины,
Uвп.- напряжение пика,
Uрр - напряжение раствора - прямое напряжение, большее Uп., при котором ток равен Iп.,
Cд - емкость диода (обычно при напряжении Uвп.) - характеризует частотные свойства диода
Туннельные диоды используют в СВЧ усилителях, генераторах и преключающих устройствах на частотах до неск. гигагерц.
Обращенный диод имеет при малых напряжениях (десятки мВ) проводимость в обратном направлении больше, чем в прямом. При напряжениях в неск. вольт прямая характеристика обращенного диода не отличается от характеристики обычного. Обращенные диоды используются для выпрямления малых переменых напряжений и детектирования сигналов с частотами до сотен МГц. Включаются в цепь диоды в обратном направлении.
Вольт-амперная характеристика обращенного диода
Параметры обращенного диода:
Uпр. - прямое напряжение при заданном токе
Uобр. обратное напряжение при заданном токе
Iпр. мах и Iобр. мах. - максимальный прямой и обратный ток
Cд - емкость диода - характеризует частотные своства диода.