пользователей: 30398
предметов: 12406
вопросов: 234839
Конспект-online
РЕГИСТРАЦИЯ ЭКСКУРСИЯ

распределение носителей заряда в зонах

мпературы часть электронов из валентной зоны переходит в зону проводимости. Определить вероятность нахождения электрона (или дырки) на том или ином энергетическом уровне при заданной температуре можно с помощью распределения Ферми – Дирака:

fd5665e297a6df5bd5c52462e5cb2f2d.gif (1.1)

 

где a83edad4a114e4c0f024221c96c838c6.gif – энергия данного уровня, Дж; K – постоянная Больцмана; T– абсолютная температура; f27a2022e06b615587301be295203488.gif– энергия, соответствующая энергетическому уровню, вероятность заполнения которого при 41b3bab9377814046772f08a41719b2b.gif0 К равна 1/2, и называемаяуровнем Ферми. При температуре 0 K (рис. 1.9) изменяется скачкообразно. Для всех энергетических уровней, лежащих ниже уровня Ферми (b51ca2f38339dbdfb19daedefc5ddaba.gif), функция 5d81f1d0090ee73213597ec38c8dd25e.gif, т.е. вероятность заполнения электронами валентной зоны (II), равна 1 (или 100%); для всех уровней, лежащих выше уровня Ферми (75e5fa6ad2991bbf4179f50d7665c0f0.gif), функция 0c3e0959b02981fa796bd57fd0a6e9bf.gif, т.е. вероятность заполнения электронами зоны проводимости (I) равна нулю (электроны в зоне роводимости отсутствуют). Так как на энергетических уровнях в запрещенной зоне электроны располагаться не могут, распределение Ферми–Дирака там несправедливо. При d8927e237efa8d4b521b344367d34a0f.gifK кривая вероятности имеет плавный вид (рис. 1.9), она симметрична относительно уровня Ферми. Уровень Ферми в собственном полупроводнике при T=0 K проходит почти посередине запрещенной зоны.

 

241512f982515ddbe0509da2972727c8.jpg

Рис. 1.9. Кривая вероятности заполнения электронами зоны проводимости и уровень Ферми

Распределение Ферми–Дирака справедливо и для примесных полупроводников. Уровень Ферми в полупроводниках n-типа от середины смещается в сторону дна зоны проводимости и находится тем ближе к дну зоны проводимости, чем выше концентрация донорной примеси (рис. 1.10, а).

7514c06c60bf7240a12b9250be526621.jpg

Рис. 1.10. Распределение Ферми–Дирака для примесных полупроводников

В полупроводнике р-типа уровень Ферми смещается от середины запрещенной зоны в сторону валентной зоны и находится тем ближе к валентной зоне, чем выше концентрация акцепторной примеси (рис. 1.10, б). На положение уровня Ферми влияет также температура полупроводника: в полупроводнике n-типа чем ниже температура, тем выше лежит уровень Ферми. В полупроводнике р-типа чем ниже температура, тем ниже лежит уровень Ферми (ближе к потолку валентной зоны).


15.06.2014; 11:41
хиты: 103
рейтинг:0
для добавления комментариев необходимо авторизироваться.
  Copyright © 2013-2024. All Rights Reserved. помощь