При образовании зародышей на поверхности металла-основы большую роль играют процессы перемещения ионов в электролите и изменение рас-пределения электрического поля. В результате зародыши распределяются по поверхности на определённом расстоянии друг от друга. При достаточно высоких перенапряжениях расстояние между зародышами приближается к их радиусу.
Количество образующихся зародышей также зависит от концентрации разряжающихся ионов. При снижении концентрации скорость образования зародышей уменьшается, общее число кристаллов увеличивается.
На металлах-основах, используемых для нанесения гальванопокрытий, имеется значительное число дефектов кристаллической решётки. Это границы зёрен, дислокации. На поверхности имеются чужеродные атомы, вакансии, неметаллические примеси и т.д. Это всё оказывает существенное влияние на распределение зародышей по поверхности и на их число.
Однако в любом случае снижение концентрации электролита, повышение плотности тока, введение ПАВ, как правило, вызывает увеличение числа зародышей и соответственное измельчение структуры осадка.
Дислокация – линейный дефект или нарушение кристаллической решётки твёрдого тела. Наличие дислокаций существенно влияет на механические и другие физические свойства твёрдого тела. Выделяют два основных типа дислокаций: краевые и винтовые. Дислокации смешанного типа являются комбинацией указанных двух типов. Образование краевой дислокации можно представить как результат удаления одной полуплоскости из кристаллической решётки в середине кристалла. В этом случае окружающие дефект плоскости уже не будут прямыми, однако они будут огибать границу уничтоженной полуплоскости так, что на гранях кристалла структура решетки не будет нарушена и дефект не будет виден. Линия, отделяющая дефектную область кристалла от бездефектной, называется линией дислокации. Простейшая наглядная модель краевой дислокации – книга, у которой от одной из внутренних страниц оторвана часть. Тогда, если страницы книги уподобить атомным плоскостям, то край оторванной части страницы моделирует линию дислокации.
Вакансия – (дефект Шоттки) – свободный, незанятый атомом, узел кристаллической решётки, «дырка». Образуется при переходе атомов с поверхности в окружающую среду или из узлов решётки на поверхность (границы зёрен, пустоты, трещины и т.д.), в результате пластической деформации, при бомбардировке тела атомами
