Граница соприкосновения двух полупроводников, один из которых имеет
электронную, а другой — дырочную проводимость, называется электронно-
дырочным переходом (или p-n-переходом).
p-n-Переход обычно создается при специальной
обработке кристаллов, например, при выдержке плотно
прижатых кристаллов германия (n-типа) и индия при 500°С в
вакууме (а) атомы индия диффундируют на некоторую
глубину в германий, образуя промежуточный слой германия,
обогащенного индием, проводимость которого p-типа (б).
Внутренним фотоэффектом называется перераспределение электронов по энергетическим состояниям в твёрдых и жидких полупроводниках и диэлектриках, происходящее под действием излучений. Он проявляется в изменении концентрации носителей зарядов в среде и приводит к возникновению фотопроводимости или вентильного фотоэффекта.
Фотопроводимостью называется увеличение электрической проводимости вещества под действием излучения.
