13.схема образования и заполнения дырок в кристалле германия.

Схема образования и заполнения дырок условно показана на рис. 207. На каждой подставке, установленной наклонно, имеется четыре отверстия (четыре дырки). В них расположено четыре шара>(четыре электрона). Если шар 1 сместится вправо, он освободит отверстие (дырку) и упадет с подставки, тогда в отверстие, которое занимал этот шар, переместится шар 2. Свободное отверстие, (дырку) этого шара займет шар 3, а отверстие последнего — шар 4. Из этой схемы видно, что шары (электроны) перемещаются и одном направлении — вправо, а отверстия  (дырки)—в противоположном направлении, т. е. влево. Кроме того, одна дырка заполняется, а в результате этого появляется новая дырка в соседнем атоме. С перемещением электронов в  полупроводнике    создается   возможность заполнения   одних дырок и образования других.Возникновение каждой новой дырки сопровождается появлением свободного электрона, т. е. непрерывно идет образование пар: электрон — дырка. В свою очередь, заполнение дырок приводит  к уменьшению числа свободных электронов.Таким  образом,  в  кристалле, помещенном     в     электрическом поле, происходит не только перемещение электронов, имеющих отрицательный электрический заряд, но и перемещение дырок — положительных зарядов. При этом направление перемещения дырок противоположно направлению движения электронов