пользователей: 24910
предметов: 11134
вопросов: 196982
Конспект-online
РЕГИСТРАЦИЯ ЭКСКУРСИЯ


Устройство и принцип работы МДП - транзистора со встроенным каналом,статические характеристики в схеме с ОИ

 

clip_image002(15).jpg

clip_image004(3).jpg

Ic = f(Uзи) | Uси =const

clip_image006(3).jpg

Параметры

Uзи порог

S = дельта(Iс)/ дельта (Uзи) | Uси =const

Ic0

 

 

 

Ic = f(Uси) | Uзи =const – выходная хар-ка

clip_image008(1).jpg

Параметры

 

Uнасыщения

Umax

 

Если в отсутствии напряжения на затворе приложить Uси, то через канал потечет ток, представляющий собой поток электронов.Через подложку ток не потечет(пн под обратным напряжением)

 

При подаче на затвор напряжения отрицательно относительно истока, канал объединяется основными носителями – электронами, его сопротивление увеличивается, и Ic уменьшается

 

При подаче на затвор положительного напряжения, относительно истока. Электр.поле в канале будет притягивать электроны из истока и стока, проводимость увеличивается, Ic возрастает(режим обогащения)


хиты: 631
рейтинг:0
для добавления комментариев необходимо авторизироваться.
  Copyright © 2013-2017. All Rights Reserved. помощь