Устройство и принцип работы МДП – транзистора с управляющим p-n переходом, статические характеристики в схеме с ОИ

Основные  носители одного знака, отсутствует инжекция. Исток – вывод от которого основные носители начинают движение по каналу, двигаясь к стоку.При приложении Uзи канал сужается R увелич. Ic – уменьш.

При подаче на затвор обратного напряжения p-n переход между каналом и затвором будет увеличиваться. Если концентрация основных носителей в обл. затвора выше, чем осн. носителей в канале, то расширение пн- переходы будет происходить за счёт области канала, в результате поперечное сечение канала уменьшается, сопротивление возрастает, ток стока уменьшается. Изменяя обратное напряж. Uзи управляем Ic.

Схема включения с ОИ

1.Стоко-затворная хар-ка

Ic = f(Uзи)| Uси =const

2.Стоковая хар-ка

Ic = f(Uси)| Uзи =const

Параметры

1)      Напр.отсечки стоко-затвор. хар-ки.

2)      S = дельта(Iс)/ дельта (Uзи) | Uси =const

3)      Напряжение насыщения

4)      Напряжение пробоя

5)      Rкmin = дельта(Uси)/ дельта (Iс) | Uзи =const – сопротивление канала

6)      Rвых.диф на участке насыщения.