Это четырёхслойные полупроводниковые приборы с тремя p-n переходами, с чередующейся электропроводностью полупроводников. При достижении напряжения открывания динистор открывается, при снижении - закрывается.
Динистор работает как пара взаимосвязанных транзистора PNP и NPN.
Прямое напряжение на переходах П1 и П3 приводит к инжекции носителей в область n1p2 – увеличение концентрации неосновных носителей заряда в этих областях и в точке А (Uвкл; Iвкл) происходит процесс аналогичный пробою p-n перехода П2. На переходе П2 будет обратное включение и ток в цепи определяется его сопротивлением.
По графику видно -
I – открытое состояние
II – область отриц. сопротивления(участок пробоя перехода П2)
III – закрытое состояние
IV – область высокого сопротивления
V – область пробоя
Iуд – ток удержания
Iвкл – ток включения
Управление током динистора возможно из-за изменения значения и направления напряжения внешнего источника.