Для описания свойств транзистора в качестве его параметров широко применяется представление транзистора в виде четырехполюсника, св-ва которого представлены в одну из систем параметров четырехполюсников.
Для биполярного транзистора применяется система Н – параметров.
Т.к. биполярны транзистор яв-ся нелинейным элементом, то непосредственно Н – параметры для произвольных токов и напряжений применять нельзя.
При небольших изменениях токов и напряжений в окрестности некоторой рабочей точки характеристики можно достаточно точно аппроксимировать отрезками прямых, что позволяет применить систему Н – параметров для малых изменениях токов и напряжений.
H – параметры транзистора используются для описания свойств транзисторов в плане усиления тока и напряжения.
Важные значения имеют предельно допустимые параметры:
- Мах допустимая мощность рассеивания на коллекторе.
- Макс. напряжение коллектор-эмиттер.
- Макс. допустимый ток коллектора
- Макс. значение тока базы
- Допустимое напряжение база-эмиттер
- Граничная частота передачи тока – частота на которой коэфф.передачи по току уменьшается до единицы.