пользователей: 21231
предметов: 10456
вопросов: 177504
Конспект-online
зарегистрируйся или войди через vk.com чтобы оставить конспект.
РЕГИСТРАЦИЯ ЭКСКУРСИЯ


Полупроводниковые туннельные диоды

Устройство.

 Это полупроводниковый диод на основе выражденного полупроводника в котором туннельный эффект приводит к появлению на прямой ветви ВАХ с отрицательным дифференциальным сопротивлением.

               

Принцип действия.

clip_image002(6).jpg

 

Участок 0,1,2 – рост тока обусловлен тем ,что в туннелировании участвуют основные носители заряда (электроны) и увеличение прямого напряжения приводит к тому что на одном уровне оказывается энергетические уровни наиболее густо «населенные» основнымые носители заряда.

Участок 3 – перекрытие уровней уменьшается.

Участок 4 - дно зоны проводимости поднимается выше потолка валентной зоны.

Участок 5 – рост тока обуславливается тем,что прикладывает довольно большое напряжение и больше число электронов будет участвовать в диффузии.

 

 

Особенности применения.

Туннельные диоды могут работать на очень высоких частотах, вплоть до нескольких сотен ГГц. Диоды применяются в качестве генераторов и высокочастотных переключателей.

 

Характеристики и параметры.

Изменяя  прямое напряжение мы меняем взаимное расположение энергетических уровней.

Фактически координаты особенных точек этой ВАХ

1.      Iп – пиковый ток, соответствующий максимуму тока ВАХ.

2.      Iв – ток впадины, соответствующий минимуму тока ВАХ.

3.      Uп – напряжение пика.

4.      Uв – напряжение впадины.


хиты: 176
рейтинг:0
для добавления комментариев необходимо авторизироваться.
  Copyright © 2013-2016. All Rights Reserved. помощь