Образование p-n перехода.
Это переходный слой на границе полупроводника с разными типами проводимости в котором существует диффузионное электрическое поле присутствует контактная разность потенциалов и которое обладает интересными, особенными свойствами.
Распределение концентрации носителей заряда
Сначала возникает диффузионный ток, потом дрейфовый ток.
Концентрации основных носителей заряда вдали от границы раздела р- и n-области можно считать равными концентрации соответствующей примеси. Электроны из n-области (где их много) диффундируют в р-область (где их мало), при этом в n-области остаются нескомпенсированные положительные ионы доноров и возникает положительный объемный заряд. Электроны, переходящие в р-область, рекомбинируют с дырками, что приводит к образованию нескомпенсированного отрицательного заряда ионов акцепторов вблизи границы раздела. В результате описанного процесса вблизи границы раздела образуется область пространственного заряда или объединенная область, в которой концентрация электронов и дырок понижена. Эта область имеет высокое электрическое сопротивление, ее называют также запирающим слоем.
Энергетическая диаграмма p-n перехода в отсутсвии внешнего напряжения
