пользователей: 21276
предметов: 10469
вопросов: 178036
Конспект-online
зарегистрируйся или войди через vk.com чтобы оставить конспект.
РЕГИСТРАЦИЯ ЭКСКУРСИЯ


Электро-дырочный переход

Образование p-n перехода.

Это переходный слой на границе полупроводника с разными типами проводимости в котором существует диффузионное электрическое поле присутствует контактная разность потенциалов и которое обладает интересными, особенными свойствами.

                                                          

Распределение концентрации носителей заряда

Сначала возникает диффузионный ток, потом дрейфовый ток.

Концентрации основных носителей заряда вдали от границы раздела р- и n-области можно считать равными концентрации соответствующей примеси. Электроны из n-области (где их много) диффундируют в р-область (где их мало), при этом в n-области остаются нескомпенсированные положительные ионы доноров и возникает положительный объемный заряд. Электроны, переходящие в р-область, рекомбинируют с дырками, что приводит к образованию нескомпенсированного отрицательного заряда ионов акцепторов вблизи границы раздела. В результате описанного процесса вблизи границы раздела образуется область пространственного заряда или объединенная область, в которой концентрация электронов и дырок понижена. Эта область имеет высокое электрическое сопротивление, ее называют также запирающим слоем.

 

Энергетическая диаграмма p-n перехода в отсутсвии внешнего напряжения

clip_image002.jpg

 


хиты: 411
рейтинг:0
для добавления комментариев необходимо авторизироваться.
  Copyright © 2013-2016. All Rights Reserved. помощь