пользователей: 21276
предметов: 10469
вопросов: 178036
Конспект-online
зарегистрируйся или войди через vk.com чтобы оставить конспект.
РЕГИСТРАЦИЯ ЭКСКУРСИЯ


Устройство и принцип работы МДП-транзистора с индуцированным каналом

В основе работы эффект поля. Изменение концентрации основных носителей заряда при поверхностном слое полупроводника под действием эл.поля.

 

 

 

 

При подачи Uси ток стока будет отсутствовать(из-за обр. напряжения на пн- переходе)

Режим насыщения: При подаче «-» на затвор, если же «+»,  то создаваемое Uзи поперечное эл. поле будет уменьшать концентрац.основ. нос.заряда(режим объединения)

а при Uзи > Uпорог. под затвором образуется инверсный слой роли проводящего канала между стоком и истоком.Меняя затворное напряжение, меняем толщину d  и поперечное сечение канала между стоком и истоком.Управляем током стока путем изменения затворного напряжения

канал н –типа

канал р-типа

 

Схема включения с ОИ

 

 

 

Ic = f(Uзи)| Uси =const

 

 

Ic = f(Uси)| Uзи =const

 

 

ОА – «открытый канал»

АВ – замедление роста тока, из-за увеличения сопрот.канала.

 

Uзк(х) = Uзи – Uси

В точке Б.

Ток стока протекающий по каналу будет создавать падение напряжения,которое будет уменьшать поперечное эл.поле.

Поле будет максимально у истока и минимально у стока. В результате канал будет сужаться к стоку.

В точке Б выходной стоковой хар-ки произойдет перекрытие канала у стока.

В точке В: участок пробоя.

 

Параметры

  1. Uпорог

2)      Крутизна S = дельта(Iс)/ дельта (Uзи) | Uси =const

  1. Uси допустимое
  2. Rд = дельта(Uси)/ дельта (Iс) | Uзи =const

Отсутствуют затраты энергии на управлени, но выводится из строя от стат.электричества.

 


хиты: 170
рейтинг:0
Естественные науки
физика
оптоэлектроника
для добавления комментариев необходимо авторизироваться.
  Copyright © 2013-2016. All Rights Reserved. помощь