Вопрос 19. Диодные тиристоры(динисторы).
Это четырёхслойные полупроводниковые приборы с тремя p-n переходами, с чередующейся электропроводностью полупроводников, имеющие S образную ВАХ. При достижении напряжения открывания динистор открывается, при снижении - закрывается.
Переход П1 – эммитерный переход первого транзистора, через который дырки инжектируют из р1 в n1, выполняющую роль базы для этого транзистора. Пройдя базу и коллект.переход П2 инжектированные дырки появляются в коллекторе р2 второго транзистора. Появление дырок в базе р2 второго транзистора приводит к образованию нескомпенсированного объемного заряда. Этот заряд, понижает высоту потенц.барьера эммитерной области П2 второго транзистора в область р2. Инжектированные заряды проходят через колл.переход П2 и попадают в коллектор n1 второго транзистора.
По графику видно -
I – открытое состояние
II – область отриц. сопротивления
III – закрытое состояние
IV – область высокого сопротивления
V – область пробоя
Iуд – ток удержания
Iвкл – ток включения
Управление током динистр возможно из-за изменения значения и направления напряжения внешнего источника.
