пользователей: 21231
предметов: 10456
вопросов: 177504
Конспект-online
зарегистрируйся или войди через vk.com чтобы оставить конспект.
РЕГИСТРАЦИЯ ЭКСКУРСИЯ


Способ включения и статические хар-ки бип.тр. в схеме с ОБ

Вопрос 17. Способ включения и статические характеристики биполярного транзистора в схеме с ОБ.

 

Способ включения.

 

5.jpg

Статические характеристики биполярного транзистора в схеме с ОЭ.

1)Входные характеристики

Iэ = f(Uэб)  | Uкб = const

6.jpg

Особенности:

а)Падением напряжения на неучтённом объёмном сопротивлении базы - rб .

б)Увеличение отрицательного напряжения на коллекторе при Uэб = const, сопровождающееся уменьшением толщины базы, приводит к уменьшению как rб , так и Iб, а следовательно к увеличению тока эмиттера. По этой же причине, все кривые семейства реальных входных характеристик идут положе.

2)Выходные характеристики

Iк = f(Uкэ)  | Iэ = const

7.jpg

Особенности:

а)-небольшой наклон т.к. Iк=Iэ-Iб, т.к. Iэ = const, а рекомбинационная  составляющая Iб уменьшается с увеличением Uкб.

б)-расстояние между характеристиками уменьшается с ростом тока Iэ, т.к. при больших токах уменьшается. При малом токе эмиттера рекомбинация в базе играет существенную роль и до коллекторного перехода доходит меньшее количество дырок, т.е. мал ν, а при больших токах эмиттера растёт, из-за насыщения базы электронами, следовательно уменьшается γ. 

в)-при больших напряжениях Uкб наступает пробой коллекторного перехода. При больших токах коллектора лавинный пробой может перейти в тепловой, поэтому на семействе выходных характеристик наносят гиперболу допустимой мощности рассеяния на коллекторе  Pк.макс=Iк Uкб.

г)-спад коллекторного тока (режим насыщения) происходит во втором квадранте.

Напряжение на коллекторе соответствующее пробою коллекторного перехода, при Iэ=0, обозначают как  Uкб0проб.

 

 


хиты: 102
рейтинг:0
Естественные науки
физика
оптоэлектроника
для добавления комментариев необходимо авторизироваться.
  Copyright © 2013-2016. All Rights Reserved. помощь