пользователей: 30398
предметов: 12406
вопросов: 234839
Конспект-online
РЕГИСТРАЦИЯ ЭКСКУРСИЯ

Эффект модуляции ширины базы

Вопрос 15. Эффект модуляции ширины базы и его влияние на работу биополярного транзистора.

 

Эффект модуляции ширины базы

Эффект Эрми (эффект модуляции) заключается в изменении ширины базовой области под действием обратного напряжения на коллекторном переходе.

11.jpg

Изменение напряжения на коллекторном переходе приводит к изменению ширины базы и как следствие к снижению концентрации дырок на границе эмиттерного перехода, что эквивалентно уменьшению напряжения на нём. При прямом напряжении – переход сужается, а при обратном- расширяется.

 

Дырки, инжектированные из эмиттера в базу создают на границе эмиттерного перехода избыточную концентрацию pn(0). Достигая коллекторного перехода, они подхватываются его полем и мгновенно переносятся в область коллектора. Поэтому их концентрация на границе коллекторного перехода равна нулю.

 

Uкб1 < Uкб2 ,тогда w1>w2 (показано красным)

 

Значит Iкр1>Iкр2 => ток коллектора возрастет

=> Iб инжек уменьшается и значит ток базы умень.  =>  Iб1>Iб2(тк Iбрек>Iбрек)

Iэ2>Iэ1

12.jpg

 

Влияние на работу биополярного транзистора.

1) Увеличение отрицательного коллекторного напряжения, при постоянном токе эмиттера, приводит к увеличению положительного напряжения на эмиттерном переходе, т.е. в транзисторе существует обратная связь между выходным (коллекторным) и входным (эмиттерным) напряжением.

Чем меньше толщина базы, тем большая доля дырок достигает коллекторного перехода, т.к. на меньшей длине меньше вероятность рекомбинации, и наоборот. Следовательно коллекторный ток растёт с увеличением коллекторного напряжения.

2)  Коллекторное напряжение влияет на величину коэффициента передачи тока эмиттера α, что в свою очередь приводит к уменьшению дифференциального сопротивления коллекторного перехода

Чем меньше толщина базы тем быстрее дырки инжектированные в эмиттер достигают коллекторного перехода, и наоборот.

3)  Коллекторное напряжение влияет на быстродействие транзистора.

Модуляция толщины базы сопровождается изменением заряда дырок в базе, т.е. имеет место зависимость заряда от коллекторного напряжения.

4Коллекторный переход, дополнительно к обычной барьерной ёмкости, обладает ещё и диффузионной ёмкостью.

 

 

 


хиты: 270
рейтинг:+1
Естественные науки
физика
оптоэлектроника
для добавления комментариев необходимо авторизироваться.
  Copyright © 2013-2024. All Rights Reserved. помощь