пользователей: 21219
предметов: 10452
вопросов: 177398
Конспект-online
зарегистрируйся или войди через vk.com чтобы оставить конспект.
РЕГИСТРАЦИЯ ЭКСКУРСИЯ


Устройство и принцип действия биополярного транзистора. Структура токов, основные режимы работы.

Устройство.

13.jpg

Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый двухпереходный прибор с тремя выводами, пригодный для усиления мощности.

Принцип действия и структура токов.

Заключается в инжекции основных носителей из эммитора в базу в переносе их через базовую область и собирание их затем коллектором.

14.jpg

Iк = Iкб0 + Iкр

Iэ = Iэп + Iэр + + Iб рекомбинации

Iб = - Iкб0 + Iб инжекции

15.jpg

Iб – протекает, если бы мы не подключали колллектор.

Iэб – обуславливается потерями дырок на рекомбинацию с электронами, инжектирующих из базы.

Дырки ижекции из эммитора в базу создают в базовой области вблизи пн-перехода избыточную концентрацию неосновных носителей.(дырки в примере).

У коллекторного перехода концентрация неосновных носителей мала, поэтому вследствии неравномерного распределения концентрации неосновных носителей в базе они (дырки) будут двигаться из области с высокой концентрацией в сторону области. Те от эмиттерного перехода к коллекторному.

Достигнув коллекторного перехода дырки перебрасиваются ускоряющим полем пн-перехода в коллектор, создавая дырочную составляющую коллекторного тока Iкр.

При небольшой ширине базы закон распределения концентрации (для неосновных носителей) оказывается близким к линейному.

Полезной составющей эммитерного тока будет Iэр, которая создает собираемую

Часть дырок в процессе движения к коллектору будет рекомбинировать с основными носителями базы (электронами) и вследствии  до коллекторного перехода доберутся не все(происходят потери)

Ту часть дырочного тока базы называют Iб рекомбинации приходит от Uэб (-)

Коэфф-ент переноса, до коллектора доберутся не все дырки.

Кпереноса = Iкр/Iэр – потери дырок

Iкр = Iэ Kинж Кпереноса (Kинж Кпереноса = альфа – коэффициент передачи тока эммитора)

Iк = α * Iэ + Iкб обр(очень мал) примерно = α * Iэ

Iб = (1- α) * Iэ

Iк = (α/ 1-α)* Iб = β* Iб, где β – коэффициент передачи тока базы (большое число)

 

Для увеличения коэффициента передачи по току (чтобы α приближ. к 1)

  • увеличить концентрацию носителей в эммиторе.
  • увеличить – чтобы уменьшить потери по рекомбинации ее делают достаточно узкой.

Площаль коллекторного перехода больше чем эмиттерного.

Основные режимы работы.

Различают 3 режима работы транзисторов.

  1. Режим отсечки – когда оба перехода смещены в обратном направлении (закрыты).
  2. Режим насыщения – оба перехода смещены в прямом направлении.
  3. Активный режим – когда эмиттерный переход смещён в прямом, а коллекторный – в обратном.
  4. Инверсный режим - когда эмиттерный переход смещён в обратном, а коллекторный – в прямом.

07.09.2015; 22:42
хиты: 148
рейтинг:0
Естественные науки
физика
оптоэлектроника
для добавления комментариев необходимо авторизироваться.
  Copyright © 2013-2016. All Rights Reserved. помощь