пользователей: 21222
предметов: 10454
вопросов: 177450
Конспект-online
зарегистрируйся или войди через vk.com чтобы оставить конспект.
РЕГИСТРАЦИЯ ЭКСКУРСИЯ


Полупроводниковые варикапы

Вопрос 10. Полупроводниковые варикапы – устройство,принцип действия, особенности применения, характеристики и параметры.

 

Устройство.

            Варикапами, варикондами или параметрическими диодами называют полупроводниковые диоды, используемые в качестве переменной ёмкости, управляемой напряжением. Здесь используется свойство перехода изменять свою барьерную ёмкость при изменении приложенного к нему обратного напряжения. Диффузионная ёмкость для этих целей не используется т.к. она шунтируется малым дифференциальным сопротивлением перехода, смещённого в прямом направлении.

Принцип действия.

Варикапы предназначаются для работы в параметрических усилителях, преобразователях постоянного напряжения в переменное высокой частоты, измерительных усилителях, в качестве элемента настройки высокочастотных контуров.

На рисунках приведены зависимость ёмкости варикапа Д902 от напряжения на нём пример его использования и эквивалентная схема.

Конденсатор Ср служит для того, чтобы постоянное напряжение подаваемое на варикап через сопротивление R1 не замыкалось через катушку индуктивности колебательного контура L1С1.

Особенности применения и его характеристика.

1)Зависимость барьерной емкости от обратного напряжения.

19.jpg

Если изменяем обратное напряжение в некотором диапазоне мы можем управлять емкостью варикапа.

2) Варикап применяется в качестве электронно- перестраиваемой емкости.

20.jpg

Поступает управляюшее напряжение. Но оно может поступать откуда угодно может формироваться цифровым устройством(управляющим)

21.jpg

fрез – это есть зависимость от напряжения(меняя напряжение мы можем управлять частотой настройки контура)

 

 

Параметры варикапов

1.  Сном-номинальная ёмкость при заданных: обратном напряжении, частоте и температуре.

2.  Кс = Смакс/Смин  -коэффициент перекрытия по емкости.

(определяется во сколько раз можем мы изменять емкость данного варикапа)

3.Q-добротность варикапа - есть отношение реактивной мощности   Pp=Um*Im*Sin(фи), запасаемой  барьерной ёмкостью, к мощности

 потерь Pa=Um*Im*Cos(фи), где фи – угол между напряжением и током.

С ростом частоты добротность падает и указывается fгранич на которой добротность становится равной еденице.

 

На низких частотах можно пренебречь Rб, тогда Qнч = 2·π·f·Rд·Cбар , а на высоких Rд , тогда Qнч = (2·π·f·Rб·Cбар)-1. Отсюда видно, что для повышения добротности надо уменьшать сопротивление базы.

 

4. TKE=1*dCбар/(Cбар*dT)  -температурный коэффициент емкости –показывает, как меняется емкость при изменении температуры.


хиты: 492
рейтинг:0
Естественные науки
физика
оптоэлектроника
для добавления комментариев необходимо авторизироваться.
  Copyright © 2013-2016. All Rights Reserved. помощь